Composants semi-conducteurs : analyse de jonction N+/N

Cette séance de cours traite de l'analyse des jonctions N + / N dans les composants semi-conducteurs. Cela commence par un aperçu d'une barre de silicium dopée des deux côtés, l'une fortement et l'autre légèrement. L'instructeur explique le courant de diffusion qui se produit lorsque le côté N+ entre en contact avec le côté N-, conduisant à la formation d'un champ électrique en raison des charges positives fixes laissées par la diffusion d'électrons. L'équilibre entre le courant de diffusion et le courant de dérive est établi, d'où une région d'épuisement du côté N+ et une région d'accumulation du côté N-. La séance de cours décrit le cadre mathématique nécessaire pour résoudre le champ électrique, la concentration d'électrons et la concentration des trous en utilisant les équations de Maxwell et le principe d'action de masse. L'instructeur présente deux méthodes de calcul, soulignant l'importance des conditions aux limites pour résoudre les équations. La séance de cours se termine par une représentation graphique des niveaux d'énergie et des distributions de charge à travers la jonction, illustrant le potentiel intégré et la direction du champ électrique qui en résulte.