In condensed-matter physics, channelling (or channeling) is the process that constrains the path of a charged particle in a crystalline solid. Many physical phenomena can occur when a charged particle is incident upon a solid target, e.g., elastic scattering, inelastic energy-loss processes, secondary-electron emission, electromagnetic radiation, nuclear reactions, etc. All of these processes have cross sections which depend on the impact parameters involved in collisions with individual target atoms. When the target material is homogeneous and isotropic, the impact-parameter distribution is independent of the orientation of the momentum of the particle and interaction processes are also orientation-independent. When the target material is monocrystalline, the yields of physical processes are very strongly dependent on the orientation of the momentum of the particle relative to the crystalline axes or planes. Or in other words, the stopping power of the particle is much lower in certain directions than others. This effect is commonly called the "channelling" effect. It is related to other orientation-dependent effects, such as particle diffraction. These relationships will be discussed in detail later. The channelling effect was first discovered in pioneering binary collision approximation computer simulations in 1963 in order to explain exponential tails in experimentally observed ion range distributions that did not conform to standard theories of ion penetration. The simulated prediction was confirmed experimentally the following year by measurements of ion penetration depths in single-crystalline tungsten. First transmission experiments of ions channelling through crystals were performed by Oak Ridge National Laboratory group showing that ions distribution is determinated by crystal rainbow channelling effect. From a simple, classical standpoint, one may qualitatively understand the channelling effect as follows: If the direction of a charged particle incident upon the surface of a monocrystal lies close to a major crystal direction (Fig.

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Implantation ionique
L'implantation ionique est un procédé d'ingénierie des matériaux. Comme son nom l'indique, il est utilisé pour implanter les ions d'un matériau dans un autre solide, changeant de ce fait les propriétés physiques de ce solide. L'implantation ionique est utilisée dans la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs, pour le traitement de surface des métaux, ainsi que pour la recherche en science des matériaux. Les ions permettent à la fois de changer les propriétés chimiques de la cible, mais également les propriétés structurelles car la structure cristalline de la cible peut être abîmée ou même détruite.

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