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Le coefficient piézoélectrique du titanate-zirconate de plomb (PZT) et d'autres composés du même type est beaucoup plus élevé que celui des autres matériaux comme le quartz et l'oxyde de zinc. Les films minces de PZT sont donc très prometteurs pour la fabrication de composants micromécaniques (actionneurs, micromoteurs, etc). Toutefois, leur mise en oeuvre est problématique, devant se faire à des températures élevées, ce qui pose des problèmes de diffusion et d'oxydation [1-3] entre le film et l'électrode inférieure, et de perte de plomb. Le problème de stabilité de l'électrode a été résolu [1], et on se concentre ici sur la fabrication des films. Deux méthodes de fabrication existent: la déposition à basse température et la cristallisation in situ [5] à température élevée. Dans le 1er cas, il s'ensuit une perte de plomb, composant volatil, qui doit être compensée par un excès lors de la déposition, d'où possibilité de porosité dans le film après recuit, alors que pour la 2ème méthode, on compense la réévaporation de Pb instantanément. Nous utiliserons cette dernière. Ce texte concerne la fabrication préliminaire in situ de titanate de plomb (PT), plus facile thermodynamiquement et cinétiquement [4] que celle du PZT