Coefficient thermique

Résumé

Le coefficient thermique est la dérivée logarithmique d'une grandeur physique par rapport à la température. Il permet de décrire la variation relative d'une propriété physique R, par rapport à une valeur de référence, lorsqu'elle varie en fonction de la température, mais que cette variation ne dépend elle-même que peu de la température, au moins sur la plage où cette quantité sera utilisée. Caractérisation Définition La dérivée logarithmique d'une grandeur physique par rapport à la température est donnée par : :\alpha_R=\frac\partial{\partial\mathrm T}\ln(R)\ = \frac1R\cdot\frac{\partial R}{\partial\mathrm T} ou \bar\alpha=\frac1R\cdot\frac{\Delta R}{\Delta\mathrm T}, où les symboles représentent :

T : la température ;
R : une propriété physique ;
α : le coefficient thermique de R à la température T ;
ΔT : un intervalle de température ;
ΔR : la variation correspondante de R ;
: le coefficient thermique moyen de

Source officielle

https://fr.wikipedia.org/wiki/Coefficient_thermique

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Finite Element Approximation to Infinite Prandtl Number Boussinesq Equations with Temperature-Dependent Coefficients - Thermal Convection Problems in a Spherical Shell

2003

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The Effect of Yttrium Addition on the Microstructures and Electrical Properties of CuMn Alloy Thin Films

Ho-Yun Lee

In this study, we fabricated thin-film resistors using CuMn and yttrium targets by DC/RF magnetron cosputtering. CuMnY-resistive thin films were deposited onto glass and Al2O3 substrates. The electrical properties and microstructures of CuMn alloy films with different yttrium content were investigated. The CuMnY films were annealed at temperature ranging from 250 degrees C to 350 degrees C in N-2 atmosphere. The phase variation, microstructure, film thickness, and constitutional analysis of CuMnY films were characterized using X-ray diffraction, field emission scanning, and high-resolution transmission electron microscopy and related energy dispersive X-ray analyses (XRD, FESEM, and HRTEM/EDX). It was found that CuMnY alloy films separated into two parts after annealing. The first part is the MnO phase on the bottom side of the film. The second part is an amorphous structure on the upper side of the film. The MnO phase is a microcrystalline that exists in CuMn films, which is dependent on the Y content and annealing temperature. CuMn alloy films with 15.7% yttrium addition annealed at 300 degrees C exhibited higher resistivity similar to 4000 mu omega-cm with -41 ppm/degrees C of temperature coefficient of resistance (TCR).

Hindawi Limited2019

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Cu-Mn-Dy resistive thin films were prepared on glass and Al2O3 substrates, which was achieved by co-sputtering the Cu-Mn alloy and dysprosium targets. The effects of the addition of dysprosium on the electrical properties and microstructures of annealed Cu-Mn alloy films were investigated. The composition, microstructural and phase evolution of Cu-Mn-Dy films were characterized using field emission scanning electron microscopy, transmission electron microscopy and X-ray diffraction. All Cu-Mn-Dy films showed an amorphous structure when the annealing temperature was set at 300 degrees C. After the annealing temperature was increased to 350 degrees C, the MnO and Cu phases had a significant presence in the Cu-Mn films. However, no MnO phases were observed in Cu-Mn-Dy films at 350 degrees C. Even Cu-Mn-Dy films annealed at 450 degrees C showed no MnO phases. This is because Dy addition can suppress MnO formation. Cu-Mn alloy films with 40% dysprosium addition that were annealed at 300 degrees C exhibited a higher resistivity of 2100 cm with a temperature coefficient of resistance of -85 ppm/degrees C.

2019

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