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John Locke (prononcé en anglais : ), né le à Wrington (Somerset) et mort le à High Laver (Essex), est un philosophe anglais. Il vit à une époque charnière qui voit la fin des guerres de religion, les débuts du rationalisme et une forte opposition à l'absolutisme en Angleterre. Proche du comte de Shaftesbury, Locke est partie prenante à ces débats et aux théories alors naissantes du contrat social, de la loi et du droit naturel, ainsi que de l'état de nature. Il s'intéresse aussi aux prémices de ce qui sera appelé à compter du le libéralisme. Ses écrits sur la tolérance ne peuvent être disjoints d'une période où s'opère un profond réajustement des champs politiques et religieux. Dans l'optique qui s'ouvre en partie grâce à lui, le politique s'occupe du monde présent et la religion s'occupe du monde de l'au-delà, les deux ne devant pas interférer. Sa théorie politique s'oppose à l'absolutisme qui se met alors en place en France et qui échoue à s'imposer en Angleterre, en partie à cau

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Performance improvement of chip-level CMOS-integrated ReRAM cells through material optimization

Tugba Demirci, Yusuf Leblebici, Elmira Shahrabi

The integration of the resistive random access memory (ReRAM) with CMOS logic circuitry provides a solution to scaling limitations, and offers promising candidates for use in next generation computing applications. It is challenging to realize a reliable, time and cost effective integration technique and at the same time provide device stability with CMOS-compatible materials that are used in the relevant device applications. In this study, we demonstrate a technique for the nm-scale hybrid integration of ReRAM on the foundry-produced CMOS 180 nm technology chip. Tungsten (W), as a material of choice for vertical vias in CMOS circuitry, is employed as the ReRAM electrode. However, W oxidizes readily, having multiple oxidation states, which influences the device reliability. In particular, the generation of semi-stable oxides at the electrode/switching layer (W/HfO2) interface has a profound influence on device performance. To achieve reliable W-based integrated ReRAM, we modulated and controlled the W electrode oxidation within the different co-integrated ReRAM stacks by increasing HfO2 switching layer thickness, through the post-metallization annealing under O-2-ambient, and by adding an Al2O3 barrier layer between the W and HfO2 layers. The effect of W interface modifications is further studied through the analysis of switching mechanism and TEM micro-structural characterization. A notable improvement in HRS/LRS resistance ratio and switching stability was observed in optimally fabricated (W/Al2O3/HfO2/TiN) ReRAM on the back end of the line (BEoL) of 180 nm CMOS chip.

ELSEVIER SCIENCE BV2019

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Tuning the Dimensions and Periodicities of Nanostructures Starting from the Same Polystyrene-block-poly(2-vinylpyridine) Diblock Copolymer

Jürgen Brugger, Harry Heinzelmann, Sivashankar Krishnamoorthy, Raphaël Pugin

The controlled tuning of the characteristic dimensions of two-dimensional arrays of block-copolymer reverse micelles deposited on silicon surfaces is demonstrated. The polymer used is polystyrene-block-poly(2-vinylpyridine) (91500-b-105000 g mol–1). Reverse micelles of this polymer with different aggregation numbers have been obtained from different solvents. The periodicity of the micellar array can be systematically varied by changing copolymer concentration, spin-coating speeds, and by using solvent mixtures. The profound influence of humidity on the micellar film structure and the tuning of the film topography through control of humidity are presented. Light scattering, atomic force microscopy, scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy were used for characterization. As possible applications, replication of micellar array topography with polydimethylsiloxane and post-loading of the micelles to form iron oxide nanoparticle arrays are presented.

2006

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Curvature Analysis of Pattern Transformation Manifolds

Pascal Frossard, Elif Vural

Transformation manifolds are quite attractive for image analysis applications that require transformation invariance properties. The geometric structure of a transformation manifold has a profound influence on the design of processing algorithm, and the curvature is a major parameter in the characterization of the manifold geometry. We propose here a procedure for the computation of an upper bound for the maximum principal curvature of a pattern transformation manifold. We provide an analytical formulation of the curvature bound and show that the numerical computation of this bound is mostly dependent on the rotation parameters. Experimental results indicate that the curvature bound of the manifold has considerable dependence on the spatial complexity and smoothness of the generating pattern. Moreover, experiments with discretization of manifolds suggest that the curvature of the manifold is likely to affect the accuracy of compact representation and sampling algorithms.

2010

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AR-488: Familiar horror-critical history of domestic space

Critical history of domestic architecture from its origins to the present.

CS-486: Interaction design

This course focuses on goal-directed design and interaction design, two subjects treated in depth in the Cooper book (see reference below). To practice these two methods, we propose a design challenge, which is further divided into mini-projects evenly spaced throughout the semester.

Siècle des Lumières

Le siècle des Lumières est un mouvement philosophique, littéraire et culturel bourgeois que connaît l'Europe au (de 1715 à 1789) et qui se propose de promouvoir le rationalisme, l'individualisme et

Emmanuel Kant

Emmanuel Kant (Immanuel Kant ), né le à Königsberg en Prusse (aujourd'hui appelée Kaliningrad en Russie), et mort le dans cette même ville, est un philosophe prussien, fondateur du criticisme et de

René Descartes

René Descartes est un mathématicien, physicien et philosophe français, né le à La Haye-en-Touraine et mort le à Stockholm. Il est considéré comme l’un des fondateurs de la philosophie moderne. Il r