Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
Explore le confinement électronique, les états de surface, la spectroscopie tunnel inélastique, l'excitation spin-flip et la spectroscopie spin-flip à atome unique.
