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Couvre la conception de circuits intégrés CMOS analogiques de faible puissance et les défis de la mise à l'échelle de la technologie dans l'industrie des semi-conducteurs.
Explore les effets de la non-linéarité dans les transistors MOS RF, couvrant l'entrée bicolore, l'intermodulation et le point d'interception du troisième ordre.
Explore les calculs de résistance, de capacité et d'inductance, les transistors MOS, les modèles à retard, la dissipation de puissance et les variations PVT.
Explore les considérations de conception pour les amplificateurs à faible bruit, couvrant la figure de bruit, le gain, l'adaptation d'entrée et la stabilité d'impédance.
Explore les fondamentaux des mélangeurs dans la conception de radio de faible puissance pour l'IoT, couvrant les types, les caractéristiques et les analyses détaillées du mélangeur équilibré unique.
