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In this paper, we analyze the 6T SRAM cell failures caused by temperature and supply voltage variations, and we explore the design of robust SRAM cells for high temperature operation. This integral SRAM reliability study is performed using 180nm SOI CMOS p ...
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The invention of the memristor enables new possibilities for computation and non-volatile memory storage. In this paper we propose a Generic Memristive Structure (GMS) for 3-D FPGA applications. The GMS cell is demonstrated to be utilized for steering logi ...
