MOS Parasitiques

Cette séance de cours couvre les caractéristiques du MOS I/V, y compris les régions de triode et de saturation, le triode profond et les effets de second ordre tels que l'effet corporel et la modulation de la longueur des canaux. Il examine également les capacités des dispositifs MOS dans différentes régions et fournit des exemples pour le calcul des capacités de jonction.