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Explore les représentations entières, en se concentrant sur le signe et la magnitude, son complément, le complément à deux, l'excès-N, le débordement, le sous-flux et la multiplication binaire.
Explore la construction, le retard et le dimensionnement des portes logiques CMOS, y compris les stratégies de dimensionnement des transistors et de traitement du ventilateur.
Introduit les bases de la conception physique dans la conception des puces VLSI, en mettant l'accent sur les caractéristiques de mise en page, le câblage d'alimentation et l'optimisation de la disposition des portes.
Couvre le modèle de transistor MOS Shockley, les grilles logiques CMOS, le fonctionnement du transistor, les paramètres de conception et les caractéristiques I-V.
Explore la simulation de transistors moléculaires, couvrant les effets d'horloge, la distribution de charge, les réseaux en cascade et la fabrication de circuits.
