Couvre la conception et l'optimisation des photodiodes, en mettant l'accent sur l'amélioration des performances grâce à la sélection des matériaux et à l'importance de la région d'épuisement.
Couvre les principes des détecteurs photoémissifs et l'effet photoélectrique, détaillant le comportement des électrons dans les métaux et les semi-conducteurs dans différentes conditions de lumière.
Couvre la formation de bandes dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur le silicium et l'arséniure de gallium, ainsi que leurs propriétés électroniques et leurs structures cristallines.
Couvre les principes des détecteurs optiques dans les semi-conducteurs avec une bande interdite indirecte, en se concentrant sur la conservation de l'énergie et de l'élan pendant les transitions électroniques.
Couvre le comportement des semi-conducteurs, en se concentrant sur les niveaux d'énergie, les distributions de charges et la conductivité dans les structures N-P-N et les interfaces métal-semiconducteur.
