Pertes dynamiques dans les inverseurs CMOS: analyse et conception

Cette séance de cours traite des pertes dynamiques dans les onduleurs CMOS, en se concentrant sur la dissipation d'énergie pendant les processus de charge et de décharge. L'instructeur commence par corriger les exercices liés au sujet, en mettant l'accent sur le rôle des résistances R1 et R2 dans le circuit inverseur. La séance de cours explique comment l'énergie est dissipée dans les transistors PMOS et NMOS pendant le fonctionnement, en soulignant que la moitié de l'énergie est perdue dans la résistance PMOS tandis que l'autre moitié est stockée dans la capacité de sortie. L'influence de R1 et R2 sur les temps de charge et de décharge est analysée, notant que ces résistances affectent le timing plutôt que la perte d'énergie elle-même. L'instructeur aborde également les différences de mobilité entre les trous et les électrons, qui ont un impact sur la résistance des transistors PMOS et NMOS. La séance de cours se termine par une discussion sur le dimensionnement de l'onduleur, illustrant comment atteindre des temps de charge et de décharge équilibrés en ajustant les largeurs des transistors PMOS et NMOS. Cette analyse complète donne un aperçu des considérations de conception pour un fonctionnement efficace de l'onduleur CMOS.