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Présente les matériaux 2D, les FET, l'optoélectronique, les concepts post-CMOS et l'impact historique de la loi de Moore sur les dispositifs semi-conducteurs.
Explique le fonctionnement du transistor MOS dans les régions de triode et de saturation, en mettant l'accent sur la transconductivité et la disposition.
Discute des technologies de fabrication dans les MEMS et les environnements propres et met l'accent sur l'importance des salles propres pour prévenir la contamination.
Explore la construction, le retard et le dimensionnement des portes logiques CMOS, y compris les stratégies de dimensionnement des transistors et de traitement du ventilateur.
Explore les modes de fonctionnement des transistors, les zones d'épuisement et les caractéristiques telles que les relations tension-courant et les paramètres du stylet.
Couvre le modèle de transistor MOS Shockley, les grilles logiques CMOS, le fonctionnement du transistor, les paramètres de conception et les caractéristiques I-V.