Revisite la modélisation du transistor MOS pour la conception de circuits analogiques basse tension et basse puissance, en se concentrant sur le modèle à base de charge EKV.
Couvre les principes fondamentaux de la logique statique, y compris l'immunité au bruit, les marges de bruit et diverses conceptions de portes logiques.
S'intéresse aux fondamentaux de la SRAM, à la structure des cellules de bits, aux opérations de lecture/écriture, aux contraintes de dimensionnement et à l'impact sur la loi de Moore.
Introduit des schémas de configuration dans les circuits intégrés, couvrant les règles de conception, les schémas physiques et la prévention du verrouillage CMOS.
Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
