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Explore l'évolution du matériel parallèle, de la loi de Moore aux défis des années 2000, et le passage à des systèmes d'extension dans les centres de données.
Explore le modèle basé sur la charge EKV pour les transistors MOS, en mettant l'accent sur son application dans la conception de circuits basse tension et basse puissance.
Présente les matériaux 2D, les FET, l'optoélectronique, les concepts post-CMOS et l'impact historique de la loi de Moore sur les dispositifs semi-conducteurs.
Explore les défis de dissipation thermique dans les transistors à effet de champ et le potentiel du MOS2 et du graphène pour les appareils électroniques.
Explore la conception à l'échelle nanométrique pour des appareils électriques efficaces, en mettant l'accent sur les nouvelles technologies pour les appareils électriques, la gestion thermique et l'électronique plus rapide.
Couvre la physique des jonctions p-n, y compris les propriétés à l'équilibre thermique, la formation de la région de charge d'espace et la lithographie optique.
