Cette séance de cours traite du comportement du courant dans les jonctions P + / N -, en se concentrant sur la dominance du courant de trou sur le courant électronique dans des conditions de polarisation directe. L'instructeur commence par analyser une diode P+, fortement dopée d'un côté, et un côté N- moins dopé. La question clé est de savoir si le courant est dominé par des électrons ou des trous lorsque la diode est en mode direct. L'instructeur explique la distribution d'énergie des trous et des électrons à l'équilibre et l'importance de la barrière de potentiel intégrée que les deux types de porteurs de charge doivent surmonter. Au fur et à mesure que le niveau de dopage du côté P augmente, la barrière pour les électrons devient plus grande, entraînant une diminution du courant électronique alors que le courant de trou reste dominant. La séance de cours couvre également les caractéristiques IV des diodes dans diverses conditions de dopage, y compris les effets de la dégradation par avalanche et du tunneling dans les diodes fortement dopées. L'instructeur met l'accent sur la relation entre les niveaux de dopage et le comportement actuel résultant dans les dispositifs à semi-conducteurs.