Ultrafast Carrier et Spin Dynamics dans les semi-conducteurs 2D
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Couvre l'hétérostructuration, le réglage de la tension de la porte, les mécanismes de dopage et la formation de bandes d'impuretés dans les semi-conducteurs.
Explore le cadre théorique derrière l'absorption optique interbande dans les semi-conducteurs à bande interdite directe, y compris la dérivation des taux de transition et des coefficients d'absorption.
Explore la transition de l'état spintronique à l'état majorana dans les matériaux proximités, en mettant l'accent sur la proximité magnétique et la détection topologique de la supraconductivité.
Explore la règle de sélection K, les exigences énergétiques et les propriétés optiques des semi-conducteurs, y compris l'absorption et l'émission de photons.
Se penche sur le potentiel des matériaux bidimensionnels pour les applications électroniques, couvrant leurs propriétés, les défis et les perspectives d'avenir.
