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Explore la simulation de transistors moléculaires, couvrant les effets d'horloge, la distribution de charge, les réseaux en cascade et la fabrication de circuits.
Explore les compromis de base dans la conception analogique, en mettant l'accent sur l'optimisation actuelle et le courant de polarisation pour le produit gain-bande passante.
Explore l'effet corporel, la modulation de la longueur des canaux et la conduction des sous-seuils dans les MOSFET, cruciale pour la conception des circuits.
Couvre le modèle de transistor MOS Shockley, les grilles logiques CMOS, le fonctionnement du transistor, les paramètres de conception et les caractéristiques I-V.
Explore la polarisation des transistors bipolaires, les points de fonctionnement, la sensibilité à la température et les boucles de rétroaction dans l'électronique.
Explore la résistance au contact, la résistance quantique, les techniques de mesure, les stratégies de réduction et les examens expérimentaux dans les matériaux 2D.
Explore les dispositifs semi-conducteurs développement historique, résistance au contact, caractéristiques FET, limite quantique, contacts de matériaux 2D, et mécanismes de charge-injection.
