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Cette séance de cours couvre le transport électronique dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur la mobilité des électrons et des trous, la diffusion des impuretés et l'influence du regroupement des impuretés. Il traite également de la dépendance en température de la mobilité électronique dans Ge dopé et GaAs, ainsi que de la formation de puits potentiels dans les hétérostructures.