Séance de cours
Cette séance de cours traite du contrôle de la tension de seuil dans les dispositifs à semi-conducteurs, en se concentrant sur les effets de l'épaisseur d'oxyde et du dopage du substrat. L'instructeur commence par analyser un scénario de base impliquant un semi-conducteur légèrement dopé et une tension de grille au seuil. L'impact de l'augmentation de l'épaisseur d'oxyde est examiné, révélant que tant que le substrat reste inchangé, la tension nécessaire pour maintenir le seuil augmente en raison de l'oxyde plus épais. Ensuite, la séance de cours explore les conséquences de l’augmentation du dopage des substrats tout en maintenant la structure au seuil. On montre qu'un dopage plus important réduit la zone de déplétion mais augmente le champ électrique à l'interface, d'où une tension de seuil plus élevée. La relation entre le champ électrique dans l'oxyde et le semi-conducteur est également analysée, démontrant comment les variations de constante diélectrique affectent la tension de seuil. La séance de cours conclut en abordant les implications de l'abaissement de la tension de seuil trop proche de zéro, soulignant le risque d'augmentation du courant de fuite dans les circuits densément intégrés.