Cette séance de cours traite des principes et des applications des photodiodes induites, en se concentrant en particulier sur la jonction PN induite avec le silicium noir. L'instructeur explique la structure de la photodiode, qui se compose d'un substrat de silicium N faiblement dopé et de couches P en surface, recouvertes d'oxyde d'aluminium. La séance de cours met en évidence les avantages de l'utilisation du silicium noir, soulignant sa capacité à obtenir une absorption totale de la lumière sur diverses longueurs d'onde en raison de sa surface nanostructurée. L'instructeur détaille le mécanisme de travail, décrivant comment l'absorption de la lumière génère des paires électron-trou, avec des électrons se déplaçant vers le substrat et des trous collectés dans le canal P. Le concept d'une photodiode PIN induite est introduit, ainsi que des comparaisons aux transistors à effet de champ sensibles aux ions (ISVET). La séance de cours couvre également l'impact des niveaux de pH sur la performance des ISVET, illustrant comment la tension de seuil varie avec la présence d'ions positifs ou négatifs. Dans l'ensemble, la séance de cours fournit un aperçu complet de la fonctionnalité de la photodiode induite et de ses applications potentielles dans la détection optique.