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Couvre l'influence du dopage sur les concentrations de porteurs dans les semi-conducteurs extrinsèques et les changements qui en résultent dans le niveau d'énergie de Fermi.
Se penche sur l'utilisation du germanium dans le calcul quantique, en mettant l'accent sur les systèmes quantiques à base de trous et les progrès des matériaux.
Couvre la formation de bandes dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur le silicium et l'arséniure de gallium, ainsi que leurs propriétés électroniques et leurs structures cristallines.