Défaut de la création dans les matériaux électroniques à grande surface

Cette séance de cours traite de la création de défauts dans les matériaux électroniques à grande surface, en mettant l'accent sur le silicium amorphe. Parmi les sujets abordés, mentionnons l'efficacité du dopage, la résonance du spin électronique, la densité estimée des défauts, l'absorption du sous-gap, les défauts induits par la lumière et la dynamique des défauts d'équilibre. L'instructeur présente des observations sur les mécanismes de création des défauts, l'impact du dopage sur la densité des défauts et le rôle des processus de recombinaison. En outre, la séance de cours couvre le traitement des défauts par recuit et la densité des défauts d'équilibre à des températures élevées. Les performances extérieures et la cinétique de recuit dans les appareils sont également explorées, mettant en évidence l'interaction entre la formation de défauts et le recuit dans les modules solaires.