Cette séance de cours couvre les configurations de transistors bipolaires, en se concentrant sur la base commune et les configurations d'émetteurs communes. Il commence par une introduction à la configuration de base commune, où la base est mise à la masse, et discute des circuits d'entrée et de sortie. L'instructeur explique le gain de courant dans ce mode, représenté par alpha, qui se rapproche généralement de 0,99 en raison de la valeur bêta élevée du transistor. La séance de cours passe ensuite à la configuration de l'émetteur commun, détaillant la façon dont l'émetteur est mis à la masse et les relations entre les courants d'entrée et de sortie. L'instructeur souligne l'importance d'optimiser la structure du transistor pour atteindre une valeur bêta élevée, qui est influencée par les niveaux de dopage de l'émetteur et de la base. Le concept de tension précoce est introduit, expliquant comment il affecte les performances du transistor. La séance de cours se termine par une discussion sur la structure idéale pour les transistors bipolaires et sur la façon d'estimer la tension Early, mettant en évidence la relation entre le courant collecteur et la largeur de la région d'épuisement.