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Explore les calculs de résistance, de capacité et d'inductance, les transistors MOS, les modèles à retard, la dissipation de puissance et les variations PVT.
Explore l'effet corporel, la modulation de la longueur des canaux et la conduction des sous-seuils dans les MOSFET, cruciale pour la conception des circuits.
Revisite la modélisation du transistor MOS pour la conception de circuits analogiques basse tension et basse puissance, en se concentrant sur le modèle à base de charge EKV.
