Impuretés semi-conductrices et transport de porteurs

Cette séance de cours couvre les propriétés des semi-conducteurs extrinsèques, en se concentrant sur les impuretés et les effets du dopage. Il explique la position du niveau de Fermi, l'ionisation et les conditions de neutralité. L'impact des impuretés dans Ge, Si et GaAs est discuté, soulignant la création d'états de piège et de centres de recombinaison. La séance de cours explore également les propriétés de transport des porteurs, y compris la dérive et la diffusion, la résistivité et les calculs de mobilité pour différents types de semi-conducteurs. Il souligne l'importance de la mobilité dans la détermination de la longueur de diffusion des porteurs et de la conductivité. Des exemples pratiques et des valeurs typiques pour les cellules solaires sont fournis, ainsi que la relation entre la dérive et les courants de diffusion dans les semi-conducteurs.