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Couvre la description quantique de l'interaction électron-photon, de l'absorption, des taux de recombinaison et de la photoluminescence dans les semi-conducteurs.
Explore le cadre théorique derrière l'absorption optique interbande dans les semi-conducteurs à bande interdite directe, y compris la dérivation des taux de transition et des coefficients d'absorption.
Explore les principes physiques de la diode de jonction, y compris les niveaux d'énergie, le dopage, les mécanismes de conduction et les caractéristiques de la diode.
Explore le fonctionnement et les limites des photodiodes p-n, en mettant l'accent sur le rôle de la région d'épuisement et l'impact de la diffusion sur les performances de l'appareil.
Explore les techniques d'arrêt de gravure, y compris l'implantation B, les arrêts de gravure électrochimiques et les exemples de microusinage en vrac en micro et nanofabrication.
Discute du dopage dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur la concentration des porteurs, l'énergie d'ionisation et les effets de la température sur les propriétés électriques.
