Explore le modèle basé sur la charge EKV pour les transistors MOS, en mettant l'accent sur son application dans la conception de circuits basse tension et basse puissance.
Explore le bruit thermique dans les transistors MOS, le bruit d'entrée des transistors bipolaires et le bruit dans les étages amplificateurs, les miroirs, les paires différentielles et les opamps.
Couvre l'analyse des transistors MOSFET avec grille et drain court-circuités, en se concentrant sur leurs caractéristiques opérationnelles et techniques de mesure.
Explore l'évolution du matériel parallèle, de la loi de Moore aux défis des années 2000, et le passage à des systèmes d'extension dans les centres de données.
Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
