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Cette séance de cours explore l'impact de la contrainte sur la structure de la liaison, en se concentrant sur les déplacements d'énergie subis par les liaisons d'équilibre de trous lourds et de trous légers, l'ordonnancement des niveaux d'énergie de liaison et les implications de la contrainte de cisaillement sur les semi-conducteurs. L'instructeur explique comment la contrainte affecte la symétrie des structures de liaison, ce qui entraîne des changements dans les états de liaison de valence et l'écart de liaison. Des exemples pratiques, tels qu'un MOSFET à base de germanium de silicium, sont utilisés pour illustrer comment l'ingénierie des contraintes peut améliorer les performances de l'appareil. La séance de cours se termine en discutant de l'exploration expérimentale des effets de la contrainte par la pression hydrostatique et la contrainte biaxiale, en soulignant l'importance de la compréhension et de l'utilisation de la contrainte dans la technologie des semi-conducteurs.