Diode Schottky: Caractéristiques électriques et modélisation

Cette séance de cours traite de la diode Schottky, une jonction métal-semiconducteur à faible dopage. L'instructeur explique la structure, y compris le contact en aluminium et la région N +, et le modélise comme un système unidimensionnel. Le diagramme de bande d'énergie est analysé dans des conditions d'équilibre, mettant en évidence la région d'épuisement et le potentiel intégré. L'impact des niveaux de dopage sur la largeur de déplétion est examiné, montrant qu'un dopage plus élevé conduit à une zone de déplétion plus étroite. L'instructeur couvre également les caractéristiques de résistance de la diode Schottky, y compris la résistance de contact et la résistance en série, et comment celles-ci affectent la performance globale. La séance de cours comprend des calculs pour le courant et la tension dans différentes conditions de polarisation, démontrant le comportement de la diode en polarisation inverse et directe. L'importance de minimiser la résistance en série pour une performance optimale de la diode est soulignée, ainsi que les effets du tunneling dans les régions fortement dopées. La séance de cours se termine par une discussion sur les implications pratiques de ces caractéristiques dans les dispositifs à semi-conducteurs.