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Personnes menant des recherches similaires (2)

Nicolas Grandjean, Jean-François Carlin

Publications associées (34)

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Short cavity InGaN-based laser diodes with cavity length below 300 mu m

Nicolas Grandjean, Jean-François Carlin, Raphaël Butté, Denis Martin, Hua Zhang, Ching-Wen Shih

We report on a practical method for developing InGaN-based edge emitting laser diodes of cavity length down to 45 mu m. Samples consisting of one uncoated cleaved facet and one etched facet coated with a high-reflectivity (HR) dielectric distributed Bragg ...

2019

Broadened Bandwidth Amplified Spontaneous Emission from Blue GaN-Based Short-Cavity Superluminescent Light-Emitting Diodes

Nicolas Grandjean, Jean-François Carlin, Raphaël Butté, Denis Martin, Hua Zhang, Ching-Wen Shih

We report broad bandwidth blue superluminescent light-emitting diodes (SLEDs) based on a short-cavity active region. The dependencies of amplified spontaneous emission (ASE) output power and gain bandwidth on cavity length were investigated in devices whos ...

2019

GaN surface as the source of non-radiative defects in InGaN/GaN quantum wells

Nicolas Grandjean, Jean-François Carlin, Raphaël Butté, Denis Martin, Gwénolé Jean Jacopin, Camille Haller, Wei Liu

Blue light-emitting diodes based on III-nitride semiconductors are nowadays widely used for solid-state lighting. They exhibit impressive figures of merit like an internal quantum efficiency close to 100%. This value is intriguing when considering the high ...

2018