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Cédric Meinen

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MOOCs enseignés par cette personne (4)

Introduction à l’électronique analogique- première partie. Fonctions de base réalisées à l’aide des amplificateurs opérationnels.

Introduction à l’électronique analogique- première partie. Fonctions de base réalisées à l’aide des amplificateurs opérationnels.

Electronique II

Introduction à l’électronique analogique- seconde partie. Fonctions linéaires de base réalisée à l’aide de transistor bipolaire.

Publications associées (5)

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Cours enseignés par cette personne (8)

EE-202: Electronics I

Les concepts de base permettant de comprendre, d'analyser et de concevoir les circuits à base d'AmpliOp, dédiés à l'acquisition et conditionnement des signaux analogiques sont traités en théorie et pr

EE-280: Electronics

Présentation des principaux composants de base de l'électronique. Analyse de circuits à base d'amplificateurs opérationnels. Introduction aux circuits logiques élémentaires. Principe de la conversion

EE-296: Electrical systems and electronics II

Les concepts de base permettant de comprendre et d'analyser les systèmes électroniques dédiés à l'acquisition et au traitement des signaux (signaux physiologique, bio-capteurs) seront abordés en théor

A mixed-signal platform dedicated to power system dynamic computation

Maher Kayal, Sidi-Rachid Cherkaoui, Cédric Meinen, Laurent Fabre, Ira Nagel

has already been proven that analog emulation overcomes the speed limits of numerical simulators by means of a simple fixed-topology prototype. In order to enhance the modularity and the size of the emulated power system a dedicated platform based on a fie ...

IEEE2011

Punch-through impact ionization MOSFET (PIMOS): From device principle to applications

Mihai Adrian Ionescu, Maher Kayal, Didier Bouvet, Kirsten Emilie Moselund, Vincent Pott, Cédric Meinen

In the present work a punch-through impact ionization MOSFET (PIMOS) is presented, which exploits impact ionization in low-doped body-tied [Omega]- and tri-gate structures to obtain abrupt switching (3-10 mV/decade) combined with a hysteresis in the ID(VDS ...

2008

DRAM Based on Hysteresis in Impact Ionization Single-Transistor-Latch

Mihai Adrian Ionescu, Maher Kayal, Didier Bouvet, Kirsten Emilie Moselund, Vincent Pott, Cédric Meinen

This work reports on memory applications of punch-through impact ionization single-transistor latch (PIMOS), showing abrupt current switching (3-10mV/dec.) as well as hysteresis in both ID(VDS) and ID(VGS). A capacitor-less 1PIMOS - 1 MOSFET DRAM memory is ...

2008