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Katherine Boucart

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Publications associées (9)

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Asymmetrically strained all-silicon multi-gate n-Tunnel FETs

Mihai Adrian Ionescu, Mohammad Najmzadeh, Katherine Boucart, Walter Riess

This paper reports all-silicon asymmetrically strained Tunnel FET architectures that feature improved subthreshold swing and Ion/Ioff characteristics. We demonstrate that a lateral strain profile corresponding to at least 0.2 eV band-gap shrinkage at the B ...

Elsevier2010

Simulation of Double-Gate Silicon Tunnel FETs with a High-k Gate Dielectric

Katherine Boucart

The down-scaling of conventional MOSFETs has led to an impending power crisis, in which static power consumption is becoming too high. In order to improve the energy-efficiency of electronic circuits, small swing switches are interesting candidates to repl ...

EPFL2010

NANOSIL network of excellence--silicon-based nanostructures and nanodevices for long-term nanoelectronics applications

Mihai Adrian Ionescu, Kirsten Emilie Moselund, Katherine Boucart

NANOSIL Network of Excellence [NANOSIL NoE web site ], funded by the European Commission in the 7th Framework Programme (ICT-FP7, no 216171), aims at European scale integration of the excellent European research laboratories and their c ...

2008