Philipp Dahinden

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Publications associées (1)

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Publications associées (1)

Charge transition levels of nitrogen dangling bonds at Si/SiO2 interfaces: A first-principles study

Alfredo Pasquarello, Peter Broqvist, Philipp Dahinden

The defect levels of the nitrogen dangling bond at the Si/SiO2 interface are determined through a density-functional approach. The composition grading at the interface is modeled through crystalline and amorphous models of stoichiometric SiO2, nitrided SiO ...

2010

Charge transition levels of nitrogen dangling bonds at Si/SiO2 interfaces: A first-principles study

Alfredo Pasquarello, Peter Broqvist, Philipp Dahinden

2010