Mustafa Berke Yelten

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Publications associées (1)

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Publications associées (1)

Modeling of Total Ionizing Dose Degradation on 180-nm n-MOSFETs Using BSIM3

Nergiz Sahin Solmaz, Mustafa Berke Yelten, Sadik Ilik

This paper presents a modeling approach to simulate the impact of total ionizing dose (TID) degradation on low-power analog and mixed-signal circuits. The modeling approach has been performed on 180-nm n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transist ...

IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC2019

Modeling of Total Ionizing Dose Degradation on 180-nm n-MOSFETs Using BSIM3

Nergiz Sahin Solmaz, Mustafa Berke Yelten, Sadik Ilik

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