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Publications associées (12)

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Nature of electron trap states under inversion at In0.53Ga0.47As/Al2O3 interfaces

Alfredo Pasquarello, Davide Colleoni

In and Ga impurities substitutional to Al in the oxide layer resulting from diffusion out of the substrate are identified as candidates for electron traps under inversion at In0.53Ga0.47As/Al2O3 interfaces. Through density-functional calculations, these de ...

American Institute of Physics2017

Oxygen defects in GaAs: A hybrid functional study

Alfredo Pasquarello, Davide Colleoni

Using hybrid density functional calculations, we address the structural properties, formation energies, and charge transition levels of a variety of oxygen defects in GaAs. The set of considered defects comprises the bridging O atom in a As-O-Ga configurat ...

Amer Physical Soc2016

Diffusion of interstitial oxygen in silicon and germanium: A hybrid functional study

Alfredo Pasquarello, Davide Colleoni

The minimum-energy paths for the diffusion of an interstitial O atom in silicon and germanium are studied through the nudged-elastic-band method and hybrid functional calculations. The reconsideration of the diffusion of O in silicon primarily serves the p ...

2016