Passer au contenu principal

Recherche

Afficher tous les résultats pour

Accueil

Personne

Adam Shmuel Teman

À propos
Confidentialité
Mentions légales

Copyright © 2025 EPFL, tous droits réservés

Graph Chatbot

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Unités associées (1)

Laboratoire de circuits pour télécommunications

EPFL
STI
IEM
TCL

Publications associées (30)

Veuillez noter qu'il ne s'agit pas d'une liste complète des publications de cette personne. Elle inclut uniquement les travaux sémantiquement pertinents. Pour une liste complète, veuillez consulter Infoscience.

Multi-Ported GC-eDRAM Bitcell with Dynamic Port Configuration and Refresh Mechanism

Adam Shmuel Teman, Robert Giterman

Embedded memories occupy an increasingly dominant part of the area and power budgets of modern systems-on-chips (SoCs). Multi-ported embedded memories, commonly used by media SoCs and graphical processing units, occupy even more area and consume higher pow ...

MDPI2024

Current-Based Data-Retention-Time Characterization of Gain-Cell Embedded DRAMs Across the Design and Variations Space

Andreas Peter Burg, Adam Shmuel Teman, Robert Giterman, Andrea Bonetti

The rise of data-intensive applications has resulted in an increasing demand for high-density and low-power on-chip embedded memories. Gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) is a logic-compatible alternative to conventional static random access memory (SRAM) w ...

IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC2020

Gain-Cell Embedded DRAMs: Modeling and Design Space

Andreas Peter Burg, Adam Shmuel Teman, Robert Giterman, Andrea Bonetti

Among the different types of DRAMs, gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) is a compact, low-power and CMOS-compatible alternative to conventional SRAM. GC-eDRAM achieves high memory density as it relies on a storage cell that can be implemented with as few as ...

IEEE2020