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Nicolas Philippe Laurent Humblot

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Publications associées (3)

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THz characterization of GeSn monocrystalline thin films

Anna Fontcuberta i Morral, Andrea Giunto, Nicolas Philippe Laurent Humblot

The employment of other group IV materials, such as alloys of germanium and tin, poses a solution for overcoming the efficiency limit of silicon that arises from its indirect bandgap. By using THz spectroscopy, the optoelectronic properties, such as conduc ...

IEEE2022

Co-Sputtered Monocrystalline GeSn for Infrared Photodetection

Anna Fontcuberta i Morral, Andreas Schueler, Anna Krammer, Josef Andreas Schuler, Andrea Giunto, Luc Burnier, Nicolas Philippe Laurent Humblot

We demonstrate monocrystalline growth of GeSn on Ge and Si substrates by co-sputtering. We discuss the evolution of film growth with thickness, elucidating the effects of substrate temperature, sputtering source, and the importance of hydrogen dilution in ...

IEEE2020

van der Waals Epitaxy of Earth-Abundant Zn3P2 on Graphene for Photovoltaics

Anna Fontcuberta i Morral, Roland Logé, Cyril Cayron, Elias Zsolt Stutz, Jean-Baptiste Leran, Shreyas Sanjay Joglekar, Mahdi Zamani, Simon Robert Escobar Steinvall, Rajrupa Paul, Nicolas Philippe Laurent Humblot

Earth-abundant semiconducting materials are a potential solution for large-scale deployment of solar cells at a lower cost. Zinc phosphide (Zn3P2) is one such Earth-abundant material with optoelectronic properties suitable for photovoltaics. Herein, we rep ...

2020