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Hiroshi Iwai
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Publications associées (4)
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Corrections to “Experimental Details of a Steep-Slope Ferroelectric InGaAs Tunnel-FET With High-Quality PZT and Modeling Insights in the Transient Polarization”
Mihai Adrian Ionescu, Igor Stolichnov, Ali Saeidi, Hiroshi Iwai
This correspondence highlights that the Gibbs free energy description of a ferroelectric capacitor in series with a paraelectric capacitor, depends on the initial charge on the plates of the ferroelectric capacitor. An incomplete Gibbs free energy descript ...
2020Near Hysteresis-Free Negative Capacitance InGaAs Tunnel FETs with Enhanced Digital and Analog Figures of Merit below VDD=400mV
Mihai Adrian Ionescu, Igor Stolichnov, Ali Saeidi, Hiroshi Iwai
We report the universal boosting impact of a true negative capacitance (NC) effect on digital and analog performances of Tunnel FETs (TFETs), mirrored for the first time in near hysteresis-free experiments and exploiting the S-shaped polarization character ...
2019Experimental Details of a Steep-Slope Ferroelectric InGaAs Tunnel-FET With High-Quality PZT and Modeling Insights in the Transient Polarization
Mihai Adrian Ionescu, Igor Stolichnov, Ali Saeidi, Hiroshi Iwai
The steep-slope ferroelectric tunnel-FET (SS-FeTFET), consisting of an InGaAs TFET with a sub-60 mV/dec subthreshold swing (SS) at room temperature and an externally connected high-quality single-crystalline PZT capacitor, displays improved SS compared to ...
2019