Personne

Alessandro Floriduz

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Alessandro Floriduz

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p-NiO/LiNiO-GaN heterojunctions: a potential alternative to p-GaN for advanced devices

Direct high-temperature MOCVD growth of GaN on foreign substrates

Polarization-enhanced GaN Schottky barrier diodes: Ultra-thin InGaN for high breakdown voltage and low Ron

p-NiO/LiNiO-GaN heterojunctions: a potential alternative to p-GaN for advanced devices

Direct high-temperature MOCVD growth of GaN on foreign substrates

Polarization-enhanced GaN Schottky barrier diodes: Ultra-thin InGaN for high breakdown voltage and low Ron