Haijing Zhang

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Publications associées (1)

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Publications associées (1)

Band Filling and Cross Quantum Capacitance in Ion-Gated Semiconducting Transition Metal Dichalcogenide Monolayers

Helmuth Berger, Thierry Giamarchi, Christophe Berthod, Haijing Zhang

Ionic liquid gated field-effect transistors (FETs) based on semiconducting transition metal dichalcogenides (TMDs) are used to study a rich variety of extremely interesting physical phenomena, but important aspects of how charge carriers are accumulated in ...

2019

Band Filling and Cross Quantum Capacitance in Ion-Gated Semiconducting Transition Metal Dichalcogenide Monolayers

Helmuth Berger, Thierry Giamarchi, Christophe Berthod, Haijing Zhang

2019