Tuning of ZnSe-GaAs band discontinuities in heterojunction diodes
Graph Chatbot
Chattez avec Graph Search
Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.
AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.
Junctions between n-type semiconductors of different electron affinity show rectification if the junction is abrupt enough. With the advent of 2D materials, we are able to realize thin van der Waals (vdW) heterostructures based on a large diversity of ma ...
We applied the internal photoemission technique to the direct observation of deep levels together with barrier heights and band discontinuities at different semiconductor heterostructure interfaces. Its performances and capabilities are superior to those o ...
We tried to apply the mechanism of surface photovoltage (SPV) to a particular class of semiconductor heterojunctions, those having staggered gaps, with the aim of photoinducing charges of opposite sign at the interface notches and of creating a dipole that ...