Cathodoluminescence intensity and dislocation contrast evolutions under electron beam excitation in epitaxial GaN laterally overgrown on (0001) sapphire
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We report transmission electron microscopy studies of native extended defects in pseudomorphic ZnSe/GaAs (001) and lattice-matched ZnSe-In0.04Ga0.96As (001) heterostructures. The dominant defects present in the layers were identified as Shockley stacking f ...
