Direct Measurement of Effective Diffusion Coefficients in Nanochannels Using Steady-State Dispersion Effects
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Band offsets of 0.35-0.45 eV are produced at Ge homojunctions by placing a monolayer of As and an adjacent monolayer of Ga between the two Ge bulks. The "Ga-first" and "As-first" growth sequences exhibit band offsets of similar magnitude but opposite sign, ...
We succeeded in observing the two-photon absorption of germanium for both the direct and the indirect gaps, using the Vanderbilt free-electron laser. The two-photon absorption for the indirect gap was found to be 3 orders of magnitude smaller than the dire ...
