Publication

Downscaling and Short Channel Effects in Twin Gate Junctionless Vertical Slit FETs

Jean-Michel Sallese, Didier Bouvet, Farzan Jazaeri, Lucian Barbut
2013
Article

Résumé

we present the performance constraints in the design of ultra-thin body Junctionless Vertical Slit Field Effect Transistor (JL VeSFET). A design space that take into account the intrinsic off-current, the sub-threshold swing and the drain induced barrier lowering is investigated with respect to key technological parameters, namely, the doping level in the channel, the minimum slit width, and the effective radius of the slit. This work could serve as a guideline for technology optimization, design and scaling of JL VeSFETs.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/record/189906?ln=fr

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Downscaling and Short Channel Effects in Twin Gate Junctionless Vertical Slit FETs

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Adaptive Body Biasing in Strong Body Factor Technologies

Nanowire Tunnel FET with Simultaneously Reduced Subthermionic Subthreshold Swing and Off-Current due to Negative Capacitance and Voltage Pinning Effects

WSe2/SnSe2 vdW heterojunction Tunnel FET with subthermionic characteristic and MOSFET co-integrated on same WSe2 flake

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