Publication

Comparative study of passivation mechanism of oxygen vacancy with fluorine in HfO2 and HfSiO4

Publications associées (32)

À propos
Confidentialité
Mentions légales

Graph Chatbot

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.

Connectez-vous pour utiliser Chat avec Graph Search

Comparative study of passivation mechanism of oxygen vacancy with fluorine in HfO2 and HfSiO4

Graph Chatbot

Chattez avec Graph Search

Mechanism of interfacial layer suppression after performing surface Al(CH3)3 pretreatment during atomic layer deposition of Al2O3

Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces

Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces

Mechanism of interfacial layer suppression after performing surface Al(CH3)3 pretreatment during atomic layer deposition of Al2O3