Evaluation of thermal scanning probe lithography patterns
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The endeavour to develop nanodevices demands for patterning methods in the nanometer scale. The continuous improvement in lithography methods based on deep UV (DUV), X-ray, or electron beam exposure allow for further progress in integrated circuit hardware ...
Lithography on (100) single-crystal silicon and amorphous silicon is performed by electric-field-enhanced local oxidation of silicon using an atomic force microscope (AFM). Amorphous silicon is used as a negative resist to pattern silicon oxide, silicon ni ...
The continuous improvements in conventional lithography methods for integrated circuit hardware allow further device shrinkage deep into the sub-micron dimensions. Two major drawbacks of these high-end patterning methods based on photoresist technologies a ...
