Near-Unity Absorption in van der Waals Semiconductors for Ultrathin Optoelectronics

Giulia Tagliabue
2016
Article

Résumé

We demonstrate near-unity, broadband absorbing optoelectronic devices using sub-15 nm thick transition metal dichalcogenides (TMDCs) of molybdenum and tungsten as van der Waals semiconductor active layers. Specifically, we report that near-unity light absorption is possible in extremely thin (

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/record/265617?ln=fr

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Near-Unity Absorption in van der Waals Semiconductors for Ultrathin Optoelectronics

Semiconductor-based device architectures in multimaterial fibers

The nanoscale impact of individual nonradiative point defects on InGaN/GaN quantum wells

Ultrafast laser interaction with transparent multi-layer SiO2/Si3N4 films

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The nanoscale impact of individual nonradiative point defects on InGaN/GaN quantum wells

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