New Insights on Output Capacitance Losses in Wide-Band-Gap Transistors
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This work reports on gate voltage dependent source and drain series resistance and associated barrier height in modified Double Gate Schottky MOSFETs with dopant segregation. We show that in our devices the series resistances is significantly reduced by lo ...
Grown on a (111) high-resistivity silicon substrate, 0.1-mu m gate AlInN/GaN high-electron mobility transistors (HEMTs) achieve a maximum current density of 1.3 A/mm, an extrinsic transconductance of 330 mS/mm, and a peak current gain cutoff frequency as h ...
In this letter, we present normally-off GaN-on-Si MOSFETs based on the combination of tri-gate with a short barrier recess to yield a large positive threshold voltage (VTH), while maintaining a low specific on resistance (RON,SP) and high current density ( ...