Silicon on sapphireSilicon on sapphire (SOS) is a hetero-epitaxial process for metal–oxide–semiconductor (MOS) integrated circuit (IC) manufacturing that consists of a thin layer (typically thinner than 0.6 μm) of silicon grown on a sapphire (Al2O3) wafer. SOS is part of the silicon-on-insulator (SOI) family of CMOS (complementary MOS) technologies. Typically, high-purity artificially grown sapphire crystals are used. The silicon is usually deposited by the decomposition of silane gas (SiH4) on heated sapphire substrates.
Cellule CIGSLe sigle CIGS (pour les éléments chimiques cuivre, indium, gallium et sélénium) désigne à la fois : une technique d'élaboration des cellules photovoltaïques en couches minces et de haute performance. le matériau semiconducteur fait d'un alliage permettant de réaliser ces cellules. Dans le CIGS, la concentration d'indium et de gallium peut varier entre du séléniure de cuivre et d'indium (CIS) pur, et du séléniure de cuivre et de gallium (CGS) pur. C’est un semi-conducteur à structure de chalcopyrite.
Sonde ionique focaliséeLa sonde ionique focalisée, plus connue sous le nom du sigle anglais FIB (Focused ion beam), est un instrument scientifique qui ressemble au microscope électronique à balayage (MEB). Mais là où le MEB utilise un faisceau d'électrons focalisés pour faire l'image d'un échantillon, la "FIB" utilise un faisceau d'ions focalisés, généralement du gallium. Il est en effet facile de construire une source à métal liquide (LMIS, de l'anglais liquid metal ion source). Contrairement aux MEB, les FIB sont destructives.
Crystalline siliconCrystalline silicon or (c-Si) Is the crystalline forms of silicon, either polycrystalline silicon (poly-Si, consisting of small crystals), or monocrystalline silicon (mono-Si, a continuous crystal). Crystalline silicon is the dominant semiconducting material used in photovoltaic technology for the production of solar cells. These cells are assembled into solar panels as part of a photovoltaic system to generate solar power from sunlight. In electronics, crystalline silicon is typically the monocrystalline form of silicon, and is used for producing microchips.
Silicium polycristallinLe silicium polycristallin, aussi couramment appelé polysilicium ou poly-Si est une forme particulière du silicium, qui se différencie du silicium monocristallin et du silicium amorphe. Contrairement au premier (composé d'un seul cristal) et au second (n'ayant aucune ou une très faible cohérence cristallographique), le silicium polycristallin est constitué de multiples petits cristaux de tailles et de formes variées, qui lui confèrent des propriétés différentes des deux autres formes.
Silicium amorpheLe silicium amorphe, généralement abrégé a-Si, est la variété allotropique non cristallisée du silicium, c’est-à-dire dans lequel les atomes sont désordonnés et ne sont pas rangés de façon régulière définissant une structure cristalline. Le silicium amorphe peut être déposé en couches minces à basse température sur un grand nombre de substrats, permettant d'envisager une grande variété d'applications microélectroniques. Ce matériau semi-conducteur est couramment utilisé pour réaliser certains panneaux solaires photovoltaïques.
Diamond-like carbonDiamond-like carbon (DLC) is a class of amorphous carbon material that displays some of the typical properties of diamond. DLC is usually applied as coatings to other materials that could benefit from such properties. DLC exists in seven different forms. All seven contain significant amounts of sp3 hybridized carbon atoms. The reason that there are different types is that even diamond can be found in two crystalline polytypes. The more common one uses a cubic lattice, while the less common one, lonsdaleite, has a hexagonal lattice.
Complexe igné du BushveldLe complexe igné du Bushveld (CIB), en anglais Bushveld Igneous Complex, est une vaste intrusion magmatique stratifiée de la croûte terrestre. Elle s’est inclinée et a été érodée et, aujourd'hui, elle affleure au bord d'un bassin géologique, le bassin du Transvaal. Située dans le nord de l'Afrique du Sud, la formation contient quelques-uns des plus riches gisements minéraux de la planète quant aux métaux du groupe du platine ainsi que de grandes quantités de fer, étain, chrome, titane et vanadium.
PseudocapacitancePseudocapacitance is the electrochemical storage of electricity in an electrochemical capacitor known as a pseudocapacitor. This faradaic charge transfer originates by a very fast sequence of reversible faradaic redox, electrosorption or intercalation processes on the surface of suitable electrodes. Pseudocapacitance is accompanied by an electron charge-transfer between electrolyte and electrode coming from a de-solvated and adsorbed ion. One electron per charge unit is involved.
PlatineLe platine est l'élément chimique de numéro atomique 78, de symbole Pt. Les qualités du platine en font l'une des huit matières premières stratégiques considérées comme indispensables en temps de guerre. Ce métal facilement martelable était utilisé en Amérique précolombienne, ainsi que probablement par la plupart des cultures néolithiques et chalcolithiques majeures de l'Eurasie. Toutefois la première référence européenne apparut en 1557 dans les écrits de l'humaniste Jules César Scaliger (1484 – 1558) qui le décrit comme un métal mystérieux venant de mines des Indes occidentales situées entre Darién (Panama) et Mexico.
